薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)
型 號(hào)GDAT-A
更新時(shí)間2024-11-21
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報(bào)價(jià)
產(chǎn)品概述
薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)儀器的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng) 目 | GDAT-A |
頻率范圍 | 1kHz～10MHz； |
固有誤差 | ≤5％±滿度值的2％； |
工作誤差 | ≤7％±滿度值的2％； |
頻率范圍 | 10MHz～60MHz； |
固有誤差 | ≤6％±滿度值的2％； |
工作誤差 | ≤8％±滿度值的2％。 |
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2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng) 目 | GDAT-A |
直接測(cè)量范圍 | 1～460pF |
主電容調(diào)節(jié)范圍 準(zhǔn)確度 | 30～500pF 150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1％ |
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目 | GDAT-A |
頻率范圍 | 10MHz～160MHz |
頻率分段 （虛擬） | 10～99.9999kHz 100～999.999kHz 1～9.99999MHz 10～160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
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5．Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍：5～1000。
6．Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
8．產(chǎn)品配置：
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感9只；
c.夾具一 套
附表 電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
線圈號(hào) | 測(cè)試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)報(bào)價(jià)滿足標(biāo)準(zhǔn)：
GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，
還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），
可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，
為提高材料的性能提供依據(jù)；
儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。
它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，
標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，
數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，
使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，
使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。
儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，
電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，
電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
